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50 µm-Designs in modernster Lasertechnik Dr. Christoph Lehnberger, Andus Electronic GmbH , Berlin

Leiterplattentechnologie
50 µm-Designs in modernster Lasertechnik Dr. Christoph Lehnberger, Andus Electronic GmbH , Berlin

50 µm-Designs in modernster Lasertechnik Dr. Christoph Lehnberger, Andus Electronic GmbH , Berlin
Der Laserdirektbelichter ersetzt die bisherige UV-Film-Belichtung durch einen feinen Laserstrahl, der die gesamte Leiterplatte überstreicht.
Mit der Einführung der LDI-Technik steigt Andus Electronic in die 2 mil-Technik ein. Der neue Laserdirektbelichtungsprozess ermöglicht Leiterplattenlayouts mit 50 µm Leiterbreiten und -abständen.

Feinleiter, Feinstleiter, Microleiter, Microfeinstleiter – hinter diesen und ähnlichen Begriffen verbergen sich mehr oder weniger sensationelle Kupferstrukturen auf Leiterplatten. Deutlich objektivere Aussagen über das Layout liefern konkrete Angaben in Micrometern oder Milli-Inch. Strukturen von 6 oder 5 mil (150 µm bzw. 125 µm) sind heute in der konventionellen SMD-Elektronik üblich, während 4 und 3 mil (100 µm bzw. 75 µm) nur dort eingesetzt werden, wo hochpolige Fine-Pitch-Bauteile dies erfordern. Durch die Einführung eines neuen LDI-Prozesses (Laser Direct Imaging) ist das Berliner Unternehmen im Juni 2008 in die 2 mil-Technik eingestiegen und damit in der Lage sogar 50 µm Leiterbreiten anzubieten.

Der Laserdirektbelichter ersetzt die bisherige UV-Film-Belichtung durch einen modulierten, nach Herstellerangaben deutschlandweit einmalig feinen Laserstrahl, der die gesamte Leiterplatte überstreicht. Die heutige Technik ist so weit fortgeschritten, dass die Belichtung eines Fertigungspanels innerhalb weniger Sekunden erfolgt. Damit ist die Verarbeitung schneller als bei der konventionellen Technik.
50 µm-Designs werden vor allem dort benötigt, wo µBGAs oder CSPs (Chip Scale Packages) zu entflechten sind. Ein CSP mit einem 0,4 mm-Raster und zweireihigen 0,25 mm-Pads kann nur mit diesen feinen Strukturen vollständig entflochten werden.
Aber auch in der Sensorik sind die neuen Strukturen von Vorteil. Zum Beispiel verdoppelt sich bei 2 mil-Leitern die Windungszahl von Spulen gegenüber früheren 4 mil-Designs. Bei anderen Anwendungen bildet das 50 µm Substrat ein Bindeglied zwischen Halbleiter-Strukturen und konventionellen Leiterplatten. Als Verbindungstechnik kommen dabei sowohl das COB-Bonden als auch die Flip-Chip-Technologie zum Einsatz. Es bleibt spannend, welche weiteren innovativen Ideen sich durch die neuen LDI-Möglichkeiten entwickeln und bei dem Unternehmen für Leiterplattentechnologie realisiert werden.
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