Samsung Electronics hat ein Multi-Die-Gehäuses mit der weltweit geringsten Bauhöhe entwickelt. Die Bauhöhe von 15 µm gilt als beachtlicher Erfolg, weil sich jetzt in bisherigen Multi-Chip-Gehäusen die doppelte Speicherkapazität unterbringen lässt. Durch die geringere Die-Bauhöhe reduziert sich auch das Chip-Gewicht. Das neue Gehäuse wurde zunächst für 32-Gigabyte-Speicherchips (GB) entwickelt und ist mit seiner Bauhöhe von lediglich 0,6 mm nur halb so hoch wie herkömmliche Speichergehäuse mit acht übereinander gestapelten Chips (oder Dies). Samsungs innovative Gehäusetechnologie ermöglicht 40 Prozent dünnere und leichtere Speicherlösungen, die in Multimedia-Mobiltelefonen und anderen Mobilgeräten eingesetzt werden können. „Flach bleibt auch weiterhin das Schlagwort bei Mobilgeräten. Wir bei Samsung unternehmen deshalb große Schritte, um Speicherlösungen mit höherer Dichte anbieten zu können, die dabei nur halb so dick sind wie bisherige Produkte“, sagt Richard Walsh, Associate Director, Memory Marketing, Samsung Semiconductor Europe. Das 0,6 mm hohe Gehäuse verfügt in seinem Inneren über acht identische Dies (Octa-Die-Package) mit jeweils 32 Gigabit (Gb). Die 32-Gb-NAND-Flash-Chips werden in 30-Nanometer-Technologie (nm) hergestellt, haben eine Bauhöhe von winzigen 15 µm und ergeben eine NAND-Speicherlösung mit 32 Gigabyte (GB).
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