Das auf der Photoreflexions-Spektroskopie basierende Metrologiesystem Omiprobe wurde für die berührungslose In-Line-Charakterisierung von Epitaxie-Wafern von 2 bis 8’’ Durchmesser entwickelt. Das System prüft einen breiten Bereich an Epi-Wafer-Materialien wie GaAs, InP, SiGe oder GaN (optional) und misst Band-Gap und -Offset bei Raumtemperatur sowie elektrische Felder an kritischen Übergangsstellen. Der Spektralbereich erstreckt sich von 0,75 bis 2,2 eV, optional sind 3,6 eV möglich. Die Messtoleranz der Band-Gap- und Internal E-Feld-Messungen beträgt 2 meV bei Zimmertemperatur. Der Einfallswinkel lässt sich zwischen 15 und 75° wählen, was wichtig bei VCSEL- und RCLED-Wafern ist. Durch die zerstörungsfreie Qualifizierung entfallen spezielle Testwafer und -baugruppen, wodurch die Kosten reduziert werden. Eine statistische Prozesskontrolle erhöht die Prozessstabilität.
EPP 448
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Die 3D-Messung und Inspektion des Lotpastendrucks ist ein wichtiges Qualitätswerkzeug. Dieses funktioniert nur mit den richtigen Toleranzen und Eingriffsgrenzen.
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