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Wafer bis 300 mm Durchmesser genau vermessen

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Wafer bis 300 mm Durchmesser genau vermessen

Wafer bis 300 mm Durchmesser genau vermessen
IBS stellt mit Susan (Super wafer surface analyser) eine Messmaschine vor, auf der beidseitig Bow, Warp und TTV (Total Thickness Variation) von Wafern mit bis zu 300 mm Durchmesser ermittelt werden können, was gemäß den allgemeinen Semi-Wafer-Spezifikationen erfolgt. Die Verwendung von hochpräzisen Luftlagern in den Führungen sowie das Design des Messrahmens führen zu stabilen und genauen Messungen bei schneller Messfolge und zuverlässigem Betrieb. Das System ermöglicht bei hoher lateraler Auflösung zugleich geometrische Messungen, die eingesetzten kapazitiven Sensoren arbeiten berührungslos. Sie weisen eine Genauigkeit im niedrigen einstelligen Nanometer-Bereich auf. Für die Dickenmessung der Wafer wird eine Auflösung von 10 nm erreicht. Zusätzlich kann das System mit einem hochauflösenden optischen Sensor ergänzt werden, um parallel zu den geometrischen und zu den Dickenmessungen die Struktur der Oberfläche zu vermessen. Durch die Rotation des Wafers wird die gesamte Oberfläche abgetastet. Es können sowohl gesägte wie auch grob geschliffene und hochpolierte Wafer in der Messmaschine gemessen werden. Über eine Adapterplatte wird die Maschine für Wafer mit Durchmessern von 100 nm, 150 nm und 200 nm umgerüstet. Die Messungen sind wegen der senkrechten Lage der Wafer und der synchronen beiseitigen Abtastung frei von Fehlern durch Gravitationseinflüsse. Das Antriebssystem garantiert einen niedrigen Wartungsaufwand, und ist problemlos im Reinraumbereich einzusetzen. Ein 300 mm Wafer wird in 30 Sekunden komplett gescannt. Nach der Messung werden die gemessenen Daten über die Software verarbeitet, und die Ergebnisse dargestellt. Kundenspezifische Anforderungen bezüglich Auswertung, Darstellung oder Datenbankintegration sind über Eingriffe in die Software möglich.

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