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Kombination von Omron Electronic als ultimative Schaltlösung für Testgeräte

Minimierter Leckstrom für maximale Testgenauigkeit
Kombination als ultimative Schaltlösung für Testgeräte

Kombination von Omron Electronic als ultimative Schaltlösung für Testgeräte
Mosfet-Relaismodul mit minimiertem Leckstromsorgt für präzise Ergebnisse bei Testausrüstung jeder Art. Foto: Omron Electronic Components
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Als Weltneuheit für Halbleitertestgeräte und andere Prüfmittel entwickelte Omron Electronic Components Europe ein Mosfet-Relaismodul mit minimiertem Leckstrom. Dank seiner T-Schaltungsstruktur bietet das G3VM-21MT einen außergewöhnlich niedrigen Ableitstrom von höchstens 1 pA (pico-Amp). Das sorgt für präzise Ergebnisse bei Testausrüstung jeder Art. Einst wurden in Halbleitertest- und anderen Prüfgeräten mechanische Relais teils wegen ihres geringen Leckstroms bevorzugt. Doch mechanische Relais haben aufgrund von Kontaktverschleiß, der die Messgenauigkeit im Laufe der Zeit herabsetzt, eine deutlich geringere Lebensdauer. Intensiv genutzt wird häufiges Auswechseln notwendig, was die Wartungskosten erhöht.

Mit einer ‘T-Type‘-Schaltungsstruktur, durch die ein Großteil des Leckstroms gegen Masse zur Erde abfließt, verbindet die Lösung effektiv die Vorteile mechanischer und Mosfet-Relais, hin zu einer genauen, kompakten und nachhaltigen Schaltlösung ohne mechanische Kontakte. Durch den Einbau des T-Schaltkreises in das Modul wird eine kompakte Baugröße von nur 5 mm x 3,75 mm x 2,7 mm erreicht. Das SMD-Bauelement wird als einpoliger Einschalter (SPST) angeboten, eine Konfiguration ist nicht erforderlich. Weitere Merkmale sind eine maximale Lastspannung von 20 V und eine Isolationsleistung unter –30 dB bei 1 GHz. Das Unternehmen hat weitere T-Circuit Mosfet-Relaismodule in Planung, darunter Hochstrom- und Hochspannungsmodelle.

www.components.omron.eu

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