Nexperia, Anbieter von diskreten Bauelementen, Logikbausteinen und Mosfets, stellt heute ein neues Package aus seiner Mosfet- und Lfpak-Produktfamilie vor, das in Kombination mit neuester Siliziumtechnik 40-V-Mosfets mit einem Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ ermöglicht. Die Lfpak88-Bauteile sollen größere Packages wie D²PAK und D²PAK-7 ersetzen und überzeugen bei einer Montagefläche von 8 x 8 mm mit 60 % Platzersparnis und 64 % geringerer Höhe.
Im Gegensatz zu anderen Packages, deren Performance oft durch die Verwendung interner Bonddrähte eingeschränkt ist, wird bei diesen Bauelementen ein Kupferclip auf die Die-Oberfläche gelötet, was in geringem elektrischen und thermischen Widerstand sowie guter Stromverteilung und Wärmeableitung resultiert. Darüber hinaus reduziert die thermisch wirksame Masse des Kupferclips ebenfalls die Bildung von Hot Spots, was sich in einem verbesserten Verhalten in Bezug auf Avalanche-Energie (EAS) und Linearbetrieb (SOA) äußert. Durch die Kombination aus hoher Dauerstrombelastbarkeit und nachgewiesenem Spitzenstrom ID(max) von 425 A mit einem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ bei kleineren Gehäuseabmessungen ergibt sich eine marktführende Leistungsdichte bis zum 48-fachen der D2PAK-Bauelemente. Und schließlich ist das Bauelement mit seinen L-förmig abgewinkelten Anschlüssen ein mechanisch und thermisch robustes Package, das die Zuverlässigkeitsanforderungen nach AEC-Q101 um das Zweifache übertreffen.
Lfpak88-Mosfets sind in zwei Ausführungen erhältlich: BUK, qualifiziert für den Autobau, und PSMN, geeignet für die Industrie. Zu den automobiltechnischen Anwendungen gehören Bremsen Servolenkung, Verpolschutz und DC-DC-Wandler, wobei die durch die Verwendung der Bauelemente erreichbaren Platzeinsparungen insbesondere bei zweifach redundanten Schaltungen hilfreich sind. Zu den Anwendungen aus dem industriellen Bereich gehören neben akkubetriebenen Elektrowerkzeugen und professionellen Stromversorgungen auch Komponenten der Telekommunikationsinfrastruktur.
