Fertigung von Galliumarsenid-Leistungshalbleitern in Dresden gestartet Innovationssprung in der Leistungselektronik - EPP

Fertigung von Galliumarsenid-Leistungshalbleitern in Dresden gestartet

Innovationssprung in der Leistungselektronik

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Mit einer neuen Technologie für Hochspannungs- und Hochstrom-Anwendungen in der Leistungselektronik geht die 3–5 Power Electronics GmbH (35PE) Dresden auf den Markt. Das 2015 gegründete Unternehmen hat sich auf die Entwicklung und Herstellung von Galliumarsenid (GaAs)-Leistungshalbleitern spezialisiert und dafür im April 2018 im Technologiezentrum Dresden eine erste Fertigungsanlage in Betrieb genommen.

„In vielen Anwendungen kommen heute siliziumbasierte Elemente zum Einsatz. Diese erreichen jedoch nicht die Leistungsfähigkeit, die zukünftig beispielsweise für die Umsetzung von Industrie 4.0-tauglichen Technologien oder für den Durchbruch der Elektromobilität gebraucht wird. Mit den Galliumarsenid-Strukturen aus unserem Hause bieten wir die geforderte Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit in einem sehr kompakten System“, erläutern die beiden Geschäftsführer Dr. Gerhard Bolenz und Dr. Volker Dudek, die gemeinsam mit Richard J. Kulle 35PE gegründet haben. Alle drei Manager verfügen über jahrzehntelange Branchenerfahrungen in der internationalen Halbleiterindustrie.

In der Anlage veredelt 35PE GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Das Unternehmen hat sich mit dieser Innovation eine Alleinstellung geschaffen. Für Prozesstechnologie, Material- sowie Bauelemente-Designs sind aktuell zwölf Patente in Europa, China, Japan und den USA angemeldet und registriert. Weitere Anmeldungen laufen. Gearbeitet wird nach dem Geschäftsmodell Fab-Lite, d. h. 35PE realisiert inhouse die Kernprozesse und vergibt Standardleistungen an Auftragsfertiger. Die so entstehenden GaAs-Dioden erfüllen die Anforderungen, die z. B. an die Leistungselektronik in modernen Industrieanwendungen, in der regenerativen Energieerzeugung oder in vollelektrischen bzw. Hybridfahrzeugen gestellt werden. Sie ergänzen im Mittel- und Hochvoltbereich zwischen 600 und 1700 Volt Leistungselektronik auf Silizium- bzw. Siliziumkarbid-Basis und punkten bei alledem mit einer höheren Energieeffizienz sowie einer Reduzierung bei Gewicht, Größe und Gesamtkosten des jeweiligen Gesamtsystems.

Das Unternehmen besitzt mit seinen Produkten und seinem Know-how eine hervorragende Position, um am prognostizierten hohen Wachstum auf dem Markt für Leistungselektronik zu partizipieren, das vor allem in Fernost erzielt wird. Neben eigenen Vertriebsaktivitäten in Europa und Amerika ermöglicht ein internationales Netzwerk mit strategischen Partnern in China und Japan einen schnellen Markteintritt in Asien.

Weitere Partnerschaften werden gegenwärtig vor Ort aufgebaut. „Als wir nach einem Standort gesucht haben, war das Silicon Saxony mit Dresden als Zentrum erste Wahl. Wir sehen hier gute Chancen, gemeinsam mit weiteren Spezialisten in der Halbleiter-Forschung und -Industrie ein Kompetenzzentrum für Galliumarsenid-Leistungselektronik zu etablieren und damit auch global auszustrahlen“, benennen Dr. Bolenz und Dr. Dudek ein wesentliches Ziel ihrer Ansiedlung in Sachsen.

www.3–5pe.com

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