Mit dem G3VM-PSON präsentiert Omron Electronic Components Europe ein kompaktes MOSFET-Relais mit hoher Schaltleistung für Industrie- und Testanwendungen. Dank hohem Dauerbelastungsstrom, geringer Leckage und einem kleinen Gehäuse eignet sich das neue Relais für spannende Anwendungen in Datenloggern, Kommunikationsgeräten, Test-und Messgeräten.
Der G3VM im Industriestandard-PSON-Gehäuse ist in drei Versionen mit Lastspannungen von 30 V (G3VM-31WR), 60 V (G3VM-61WR) und 100 V (G3VM-101WR) erhältlich und ist dadurch für Dauerlastströme von 4,5 A, 3 A bzw. 2 A dimensioniert. Die Kontaktform besteht aus einem Schließer(1 A).
Alle drei Ausführungen haben einen geringen Einschaltwiderstand von 50–200 mOhm je nach Version. Der höhere Strom in einem nur 3,4 x 2,1 x 1,3 mm winzigen Gehäuse hilft Designern bei der Erstellung eines kompakten Platinenlayouts. Das Relais zeichnet sich durch eine hohe Durchschlagsfestigkeit von 500 VAC zwischen dem Eingang und dem Ausgang aus und hat im offenen Zustand einen Leckstrom von 1.000 nA. Außerdem ist das Anschlussformat so gestaltet, dass es trotz der geringen Größe des Bauelements die Erstellung einer guten Lötstelle und einfache Lötinspektion unterstützt.
Der G3VM – PSON zeichnet sich durch sein hohes Anwendungspotenzial mit einer Bandbreite an Einsatzmöglichkeiten aus. Die Betriebsumgebungstemperatur von –40 °C bis +110 °C eignet sich ideal für anspruchsvolle industrielle Umgebungen. (dj)
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