Von der Idee zum LDS-Prototypen: Oberflächenaktivierung mit dem Sprühlack LPKF ProtoPaint LDS, Oberflächenstrukturierung mit dem LPKF ProtoLaser 3D und stromlose Metallisierung mit dem LPKF-ProtoPlate-LDS-System. Die 3D-MID-Technologie hat in den letzten Jahren riesige Fortschritte gemacht, und das LDS-Verfahren (Laser-Direktstrukturieren) hat daran den Hauptanteil. Mehr als 50% aller Smartphones sind mit LDS-Antennen ausgestattet. Auch in der Automotive-Industrie, der Medizintechnik und bei Consumer-Produkten hat LDS seine Leistungsfähigkeit unter Beweis gestellt.
Beim LDS-Prozess aktiviert der Laser ein LDS-Additiv im Grundkörper, in einer anschließenden stromlosen Metallisierung bauen sich dort Kupferstrukturen auf. Mit der neuen LDS-Prototyping-Lösung lassen sich schnell und wirtschaftlich 3D-Prototypen per Laser-Direktstrukturierung (LDS) herstellen. Mit der kompletten Prototyping-Reihe schließt LPKF die Lücke zwischen Entwurf und Serienproduktion – seriennahes Prototyping war bislang aufwändig.
Das Prototyping beginnt mit einem 3D-Druck des Schaltungsträgers aus den Layoutdaten im eigenen Haus oder bei einem Dienstleister. Der gedruckte Grundkörper wird mit dem LPKF ProtoPaint LDS Lack überzogen, der LDS-Additive enthält. LPKF ProtoPaint LDS wird in einer speziellen Sprühdose geliefert und vor der ersten Lackierung aktiviert. Der ProtoLaser3D zur Laserstrukturierung verfügt über eine höhenverstellbare Arbeitsbühne, um Bauteile unterschiedlicher Abmessungen zu strukturieren. Der Arbeitsbereich umfasst 300 x 300 x 50mm, das Scanfeld 100 x 100 x 25mm. Durch einen Pilotlaser und ein ausgefeiltes Vision-System lassen sich Strukturen in unterschiedlichen Bauteillagen nahtlos aneinander fügen. ProtoPlate LDS dient der stromlosen Metallisierung strukturierter LDS-Komponenten. Es besteht aus einem Schutzgehäuse zur Prozessführung und einer fertig zusammengestellten Kombination der Badchemikalien als Verbrauchskomponente. Der Metallisierungsprozess setzt keine Chemiekenntnisse voraus und erzeugt Kupferschichten im praxisrelevanten Bereich von 3µm und 10µm.
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