Kostengünstige Flip-Chips

Siemens wird mit dem Technologietransfer an Micro-ASI beginnen, um ein breit angelegtes Programm für die Herstellung des PSGA-Substrates und die Montage des PSGA-Gehäuses aufzusetzen. Cecil E. Smith, Chairman, President und Chief Executif Officer von Micro-ASI meint: „Wir glauben, dass die PSGA-Technik den Bedarf an kostengünstigen Package-Substrat mit hoher Verdrahtungsdichte abdecken kann.“ Beide Unternehmen wollen die Entwicklung der Technik weiter vorantreiben. Sind überzeugt, dass Micro-ASI in der Lage ist, die PSGA-Produktqualifizierung durch große Halbleiterfirmen zu beschleunigen. Das amerikanische Unternehmen plant, die Substrate sowohl für den eigenen Bedarf einzusetzen als auch Substrat und PSGA-Package-Montage an Kunden zu vermarkten. Außerdem sind weitere Substratverbesserungen sowie Wa-fer-Interconnect- und Derivat-Produkte auf PSGA-Basis geplant.

Die PSGA-Technik wurden vom Geschäftszweig Substra-te Technology von Siemens PL in Zusammenarbeit mit dem belgischen Forschungszentrum IMEC für IC-Gehäuse für ho-he Bestückungsdichten entwickelt. Das Bauteilspektrum umfasst sowohl CSPs (Chip-Scale-Packaging) als auch Bauelemente mit Wire-bonded-Chipmontage in Cavity-up/Cavity-down-Ausführung so-wie mit Flip-Chip-Verbindung zwischen Chip und PSGA-Substrat. Der Fertigungsprozess für PSGA-ICs ist laut Siemens wesentlich unkomplizierter als bei herkömmlichen BGA- oder CSP-Gehäusen, die Laminat- oder Flex-Substrate verwenden, bei denen der Kontakt zur Leiterplatte durch nach-trägliches Anbringen von Solder-Balls (Lotkugeln) hergestellt werden muss. Bei PSGA wird dagegen das Substrat mit den angeformten Studs (Anschlussstiften) in einem Prozess gefertigt.

PSGA-Gehäuse weisen bei geringeren Kosten eine höhere Anschlussdichte und eine bessere Wärmeleitfähigkeit auf. Sie bieten zudem eine bessere EMI-Schirmung und zuverlässigere Lötverbindungen. Die PSGA-Technik wird von Siemens in Lizenz vergeben.

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